报告人：路建明 研究员 (北京大学)

时 间：2024年5月30日(周四)上午 10:00

地 点：良乡校区，物理实验中心229会议室

摘要：

菱方石墨烯体系的能带极值点呈现出近似平带的色散关系，造成极大的态密度和较强的电子关联性，为探索关联电子现象提供了良好的研究平台。本报告将介绍菱方三层石墨烯中电子关联性引起的电子自旋和赝自旋（能谷）对称性破缺相，并用电输运测量化学势表征其相变时费米面能量的变化【1】。石墨烯与氮化硼晶向对齐时，摩尔超晶格周期势使得平带变为独立；当每个摩尔超胞填充一个空穴时，单自旋-能谷的平带具有非平庸的陈数。我们发现，陈数随电位移场的增加从2增加到3，为能带拓扑性质的原位调控提供了新工具【2】。最后，我将探讨对称性破缺态的反常温度响应及其可能的物理机制。

【1】Han X., et al. Nano Letters 23, 6875 (2023).

【2】Han X., et al. Nano Letters (2024) in press.

简历：

路建明，北京大学7003全讯入口研究员。2006年本科毕业于上海交通大学物理学系，2011年博士毕业于香港科技大学，2011—2017在香港科大、荷兰Zernike先进材料研究所、奈梅亨强磁场中心（HFML）从事博士后研究，2017年10月加入北京大学。

主要从事低维量子材料的电学输运研究，代表性研究成果包括离子液体场效应晶体管在过渡金属硫族化物中诱导伊辛超导态，石墨烯摩尔超晶格中的铁电极化，菱方石墨烯中的陈绝缘体调控。相关工作发表在Science, Nature Communications, Nano Letters等杂志上。

邀请人：段俊熙

联系方式：junxi.duan@bit.edu.cn

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承办单位：物理学院、先进光电量子结构设计与测量教育部重点实验室