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7003全讯入口“博约学术论坛”-杨诗祺-第481期

来源:姚裕贵 教授 作者:杨诗祺 (北京大学) 发布时间:2024-11-13

邀请人: 姚裕贵 教授

报告人: 杨诗祺 (北京大学)

时间: 2024-11-13

地点: 线下-良乡校区,理学楼B二层多功能厅

主讲人简介:

­7003全讯入口博约学术论坛系列报告

481

题目二维磁性材料磁耦合调控及光电性质研究

报告人:杨诗祺 (北京大学)

间:2024年11月13日(周三)10:00-11:30

点:线下-良乡校区,理学楼B二层多功能厅

摘要:

二维磁性材料为研究磁耦合机制及自旋电子器件的设计提供了重要平台,其不仅展现出高效的外场调控特性,还为实现自旋-光子-电子等自由度耦合的新型光电子器件奠定了基础。本报告中,我将首先针对磁性拓扑绝缘体MnBi2nTe3n+1 (n=1, 2, 3) 体系,研究基于Bi2Te3插层和晶格缺陷调制作用下的磁耦合机制,揭示从具备奇偶效应的A型反铁磁体,到铁磁-反铁磁共存的磁态演化,并探究新奇的交换偏置效应;进一步地,基于CrBr3晶格结构相变研究,在原子尺度下揭示了晶格堆垛与磁耦合的对应关系,从而实现CrBr3中磁结构的调控;最后基于具有磁-电子耦合的二维磁性半导体CrSBr介绍正在开展的光电性质研究工作。

简历

2023年7月-2025年7月,北京大学,博雅博士后 合作导师:叶堉;2018年9月-2023年6月,北京大学,凝聚态物理博士,导师:叶堉;2014年9月-2018年7月,电子科技大学,应用物理本科。

研究方向:1. 二维磁性材料的物性及调控:关注二维磁性材料MnBi2nTe3n+1 (n=1, 2, 3) 和 CrX3 (X=Cl, I, Br)等材料的磁性和磁耦合调控,揭示二维磁性材料在多种自由度包括磁场、温度、厚度、缺陷、晶格结构等下的磁演化及起源,探究磁耦合机制引入的交换偏置效应。2. 二维磁性半导体的器件研究:基于磁性半导体CrSBr开展物性和器件研究,探究其光电器件性能及电致发光、激子-极化激元调控等。

共发表文章16篇,其中一作/共一文章7篇,总引用850,两篇ESI高被引文章。代成果如下:

[1] S. Yang#, X. Xu#, Y. Gao#, R. Guzman, P. Gu, H. Wang, et al. "Defect-Assisted Domain Nucleation Drives Unique Exchange Bias Phenomena in MnBi2Te4." Physical Review X 14 (2024): 041024.

[2] S. Yang#, X. Xu#, B. Han, P. Gu, R. Guzman, Y Song, Z Lin, et al. "Controlling the 2D Magnetism of CrBr3 by van der Waals Stacking Engineering." Journal of the American Chemical Society 145 (2023): 28184-28190.

[3] S. Yang#, X. Xu#, Y. Zhu#, R. Niu, C. Xu, Y. Peng, X. Cheng, et al. "Odd-even layer-number effect and layer-dependent magnetic phase diagrams in MnBi2 Te4." Physical Review X 11 (2021): 011003.

[4] X. Xu#, S. Yang#, H. Wang, R. Guzman, Y. Gao, Y. Zhu, et al. "Ferromagnetic-antiferromagnetic coexisting ground state and exchange bias effects in MnBi4Te7 and MnBi6Te10." Nature Communications 13 (2022): 7646.

[5] T. Wang#, D. Zhang#, S. Yang#, Z. Lin, Q. Chen, J. Yang, et al. "Magnetically-dressed CrSBr exciton-polaritons in ultrastrong coupling regime. " Nature Communications 14 (2023): 5966

[6] S. Yang, X. Xu, W. Xu, B. Han, Z. Ding, P. Gu, P. Gao, Y. Ye. "Large-Scale Vertical 1T′/2H MoTe2 Nanosheet-Based Heterostructures for Low Contact Resistance Transistors." ACS Applied Nano Materials 3 (2020): 10411-10417.

部分获奖及参会:

获奖:2023年7月获评北京大学优秀博士学位论文

参会:2024年10月中国物理年会(口头报告)

2024年3月美国物理年会 (口头报告)

2023年7月中国科学院物理研究所博采众长学术论坛(第六讲)

2022年11月中国物理学会2022年秋季学术会议 (CPS最佳墙报奖)

主持项目:

1. 主持:中国博士后科学基金第五批特别资助(站前)2023TQ0003

2. 主持:中国博士后科学基金第74批面上资助 2023M740122

联系方式ygyao@bit.edu.cn

邀请人: 裕贵 教授

址:/

承办单位:物理学院先进光电量子结构设计与测量教育部重点实验室